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<title>Miller-Integrator</title>
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<div id="mw-content-text" class="mw-body-content mw-content-ltr" lang="de" dir="ltr"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><p>Der <b>Miller-Integrator</b> ist eine <a href="Elektrische_Schaltung" title="Elektrische Schaltung">elektrische Schaltung</a> zur Erzeugung linear ansteigender Signale. Die Schaltung kann als <a href="S%C3%A4gezahngenerator" class="mw-redirect" title="Sägezahngenerator">Sägezahngenerator</a>, für <a href="Kippschwingung" title="Kippschwingung">Kippschwingungen</a>, und als <a href="Dreieckgenerator" title="Dreieckgenerator">Dreieckgenerator</a> eingesetzt werden. Eine Schaltung für Kippschwingungen, die auf dem Miller-Integrator basiert, ist das <a href="Miller-Transitron" title="Miller-Transitron">Miller-Transitron</a>. Ein <a href="Regler#I-Regler_(I-Anteil)" title="Regler">Integralregler</a> in der Analogtechnik wird meistens mit einem Miller-Integrator realisiert.
</p>
<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Schaltungsbeschreibung">Schaltungsbeschreibung</h2></div>
<p>Der Miller-Integrator besteht aus dem Ladewiderstand <i>R</i><sub>2</sub>, dem Integrationskondensator <i>C</i><sub>2</sub> und dem <a href="Sperrschicht-Feldeffekttransistor" title="Sperrschicht-Feldeffekttransistor">JFET</a> <i>Q</i><sub>1</sub>. Am Eingang In liegt eine Rechteckspannung. Wechselt diese von negativer auf positive Spannung so wird <i>C</i><sub>2</sub> über <i>R</i><sub>2</sub> umgeladen. Der JFET <i>Q</i><sub>1</sub> linearisiert die Ladekurve. Immer wenn das Gate ein wenig positiver wird, wird der Drain ein wenig negativer. Die Spannung über den Kondensator <i>C</i><sub>2</sub> bleibt gleich und damit auch der Ladestrom. Für einen idealen Miller-Integrator ist der Eingangswiderstand des Verstärkers und die Verstärkung unendlich. Ein <a href="Operationsverst%C3%A4rker" title="Operationsverstärker">Operationsverstärker</a> erfüllt diese Bedingungen bei Niederfrequenz sehr gut, für höherfrequente Anwendungen eignet sich ein JFET.
</p><p>Zwischen Basis und Kollektor eines Bipolartransistors oder zwischen Gate und Drain eines FET liegt eine interne Kapazität. Der Kapazitätswert reicht von einigen Femtofarad bei MOSFET Tetroden, über einige Picofarad bei Kleinleistungs-Transistoren bis zu einigen Nanofarad bei <a href="Leistungs-MOSFET" title="Leistungs-MOSFET">Leistungs-MOSFET</a>. Der <a href="Millereffekt" title="Millereffekt">Millereffekt</a> beschreibt die Auswirkung dieser internen Kapazität.
</p>
<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Quellenangaben,_Literatur"><span id="Quellenangaben.2C_Literatur"></span>Quellenangaben, Literatur</h2></div>
<ul><li>S. W. Amos, R. S. Amos: <cite style="font-style:italic">Newnes Dictionary of electronics</cite>. Butterworth Heinemann, 1999.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Miller-Integrator&rft.au=S.+W.+Amos%2C+R.+S.+Amos&rft.btitle=Newnes+Dictionary+of+electronics&rft.date=1999&rft.genre=book&rft.pub=Butterworth+Heinemann" style="display:none"> </span> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://books.google.de/books?id=c4qHqtC9JkgC&pg=PA200&lpg=PP200&dq=Newnes+Dictionary+of+electronics&hl=de">Link</a></li>
<li>Schröder, Feldmann, Rommel: <cite style="font-style:italic">Elektrische Nachrichtentechnik III.Band</cite>. Verlag für Radio-Foto-Kinotechnik, Berlin-Borsigwalde 1972.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Miller-Integrator&rft.au=Schr%C3%B6der%2C+Feldmann%2C+Rommel&rft.btitle=Elektrische+Nachrichtentechnik+III.Band&rft.date=1972&rft.genre=book&rft.place=Berlin-Borsigwalde&rft.pub=Verlag+f%C3%BCr+Radio-Foto-Kinotechnik" style="display:none"> </span></li></ul></div><!--htdig_noindex--><div><div class="zim-footer">
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